芯片晶圆代工和封测有哪些工艺流程

1.晶圆代工

晶圆OEM借助光刻蚀刻等工艺流程，通过电路信息的光掩模层层集成，并通过离子注入、退火、扩散、化学气相沉积、化学机械研磨等工艺最终在晶圆上实现特定的集成电路结构。OEM主要工艺流程如下：

(1)晶圆清洗

晶圆清洗是指在晶圆表面喷洒准备好的清洗液进行清洗，然后用超纯水进行二次清洗，去除晶圆表面的杂质颗粒和残留物，确保后续工艺步骤的准确进行。

（2）光刻

光刻的主要环节包括涂胶、曝光和显影，如下：

①涂胶

涂胶是指通过旋转晶圆在晶圆上形成一层光刻胶。

②曝光

曝光是指将光掩模上的图形与晶圆上的图形对齐，然后用特定的光照射。光能激活光刻胶中的光敏成分，从而将光刻胶上的电路图形转移到光刻胶上。

③显影

在曝光后的光刻胶中，用显影溶液溶解可溶部分，用晶圆上的光刻胶图准确显示光掩模上的图形。

（3）刻蚀

蚀刻是指选择性去除未被光刻胶覆盖的材料的过程，主要分为干蚀和湿蚀。干蚀主要利用等离子体蚀刻特定物质，湿蚀主要通过液体化学物质蚀刻特定物质。

(4)离子注入、退火

离子注入是指将硼、磷、砷等离子束加速到一定能量，然后注入晶圆材料的表层内，以改变材料表层物质特性的工艺。退火是将晶片放置在高温环境中，改变晶片表面或内部的微观结构，以特定的性能。

（5）扩散

扩散是指将杂质离子从高浓度区域转移到低浓度区域，将一定量的杂质离子混合在晶片中，改变和控制晶片中杂质的类型.从而改变晶圆表面的电导率。

(6)化学气相沉积

化学气相沉积是指在一定温度和压力下，化学反应质沉积在晶圆表面的工艺技术。

(7)化学机械研磨化学机械研磨是指利用机械力的摩擦原理和化学反应，将物质从晶圆表面逐层剥离，使晶圆表面变平。

(8)晶圆(加工后)试验

晶圆检测是指检测晶圆产品上集成电路或半导体元件的功能，以验证其是否符合产品规格。

（9）包装

包装是指晶圆真空包装的生产加工。

2.封装测试

包装是将芯片BPV10NF上的接头连接到包装外壳的引脚上，并通过印刷板连接到其他设备、固定、密封、保护芯片，提高电热性能。包装试验的主要工艺流程如下：

(1)晶圆减薄

晶圆减薄是指降低晶圆背面某一区域的厚度，在晶圆边缘保留一定的厚度，既保证了晶圆厚度的要求，又增加了晶圆的整体强度。

(2)晶圆背金属

晶圆背金属是指在晶圆背面镀金，以便与装片胶接合。

（3）划片

划片是指根据大小将整个晶圆分成单个芯片。

（4）贴片

贴片是将芯片从切片后的晶圆上取下，放在相应的框架或基板上的过程。

（5）键合

键合是利用金属线(片)将芯片与框架或基板连接起来，实现芯片与框架或基板之间的电气连接的过程、芯片之间的芯片散热和信息交换功能。

（6）塑封

塑料密封是指在相应的模具上高温使用环氧膜塑料、高压密封键合产品，隔离水分和外部环境污染，保护芯片。

（7）电镀

电镀是将待镀件作为阴极，通过一定波形的低压直流电，在含有一定金属离子的电解质溶液中，使金属离子在阴极中不断沉积成薄层的加工过程。

（8）打印

打印，又称打标，是指半导体器件表面的标记。

(9)切筋成型

切筋成型是指将横筋和边筋连接在引线框架上，将引脚弯曲成一定形状，以满足后期装配的需要。

（10）测试

测试是根据半导体器件的类型，测试其功能和特性，以确保其性能和可靠性。

（11）包装

包装是指通过性能测试的产品的包装。