中芯国际的7nm技术辅以芯片堆叠技术，预计将性能提升到近5nm

由于众所周知的原因，北方国家最近无法获得光刻机供应，芯片进口也面临障碍，所以国家计划开发新的芯片制造技术，巧合的是日本企业早在去年就开发了无光刻机芯片制造技术，随着BFC233925104芯片制造技术的变化，也许ASML光刻机是时候被抛弃了。

据悉，北方某国计划用X射线进行光刻。它长期以来一直在研究无掩模X射线光刻机，这是可行的，因为它的波长比ASML使用的极紫外线短，X射线波长在0.01nm到10nm之间，而EUV极紫外线波长为13.5nm，X射线光刻机无需光掩模即可直接光刻，可大大降低芯片制造成本，精度更高。

与北方国家不同，日本开发不需要ASML光刻机芯片制造技术，因为EUV光刻机成本太高，EUV光刻机价格高达1.5亿$，下一代更准确的EUV光刻机价格预计将进一步提高到3亿$，昂贵的EUV光刻机让日本企业难以接受，因此几年前开始开发不需要ASML光刻机芯片制造技术。

早在几年前，日本半导体制造商大日本印刷有限公司(DNP)就与日本半导体制造商大日本印刷有限公司(DNP)开发了新的光刻技术。2020年，纳米压印微影(NIL)技术成功开发，并已应用于Kioxia的NANDFlash芯片生产。他们预计该技术可以应用于5nm技术，打破了目前DUV光刻机只能应用于最高7nm技术的限制。

中国延续了当前芯片制造技术的方向。据悉，中芯国际即将用DUV光刻机生产7nm工艺，这实际上是由台积电实现的。在此之前，台积电的第一代7nm工艺是用DUV光刻机生产的，然后升级为7nmEUV。7nm工艺将足以满足中国大多数芯片的需求。

中国芯片企业华为海思除了用DUV光刻机生产7nm工艺外，还开发了芯片堆叠技术，此前受到质疑。然而，随着台积电推出的3DWOW技术大大提高了7nm工艺芯片的性能，性能提高了40%，超过了5nm工艺的性能提高；苹果还通过特殊的连接方式连接了两个M1芯片，性能翻了一番，证明了芯片堆叠技术的可行性。

这样，中芯国际的7nm技术辅以芯片堆叠技术，业界预计将性能提升到近5nm，进一步满足国内芯片行业的要求，这也有助于降低成本。

这些技术的发展表明，ASMLEUV光刻机不会成为推广到7nm技术以下的必然选择。芯片制造业可以通过开发其他技术来绕过EUV光刻机的限制，提高芯片的性能，甚至生产芯片的成本也低于EUV光刻机。

不仅如此，全球芯片供应紧张似乎有缓解的迹象，手机芯片行业过剩，射频芯片库存达到高水平，导致手机企业不再抢购芯片。这是因为手机行业的出货量实际上低于历史最高水平，汽车和电视的出货量也有所下降。2021年出货量增长较大的PC今年一季度也大幅下降，可能导致芯片产能过剩。如果芯片产能过剩，全球抢购光刻机的现象就会缓解，甚至光刻机可能过剩。

可以说，ASML的亮点时刻似乎已经过去了。面对芯片技术的变化和芯片供应的变化，ASML赚大钱的时代可能已经过去了。当然，ASML也许会改变当前销售的许多障碍，并改变态度，以此希望客户购买其光刻机。