SK海力士HBM4E内存有望采用1c nm 32Gb DRAM裸片，进一步提升容量

SK海力士是一家韩国的半导体制造公司，专注于生产DRAM和NAND闪存等产品。在内存技术领域，SK海力士一直处于领先地位，不断推出新一代的产品来满足市场对更高性能和更大容量的需求。

HBM（High Bandwidth Memory）是一种专为GPU、AI处理器和其他高性能计算应用设计的堆叠式内存技术。HBM内存通过垂直堆叠内存芯片来提高带宽和内存密度，同时减少整体占用空间。HBM4E是HBM内存的最新一代产品，相较于前一代HBM4，它在带宽、密度和能效方面都有显著提升。

据相关报道，SK海力士计划在2024年使用1c nm制程的32Gb DRAM 裸片来生产HBM4E内存。1c nm制程代表着半导体工艺的第六代10nm级别，相较于目前的1b nm制程，1c nm制程的DRAM 裸片将提供更高的密度和能效。这种新一代内存有望带来更高的带宽、更大的内存容量和更低的功耗，进一步满足AI和高性能计算等领域对内存性能的极致需求。

SK海力士的技术人员Kim Kwi Wook表示，HBM4E内存的带宽将比HBM4提高40%，密度提高30%，能效提高30%。此外，他还提到，HBM4E内存可能会在2025年下半年开始量产，届时可能会以12层堆叠达到48GB的单颗容量，或者16层堆叠达到64GB的超大规模。

然而，SK海力士在下代HBM4产品中可能不会采用混合键合技术，因为混合键合技术的良率目前较低。混合键合技术是一种将不同材料和工艺的内存芯片结合在一起的技术，可以进一步提高内存性能，但由于技术难度较大，目前良率较低。

除了HBM4E内存，SK海力士还计划在年内推出1bnm 32Gb DDR5内存颗粒。DDR5内存是下一代DRAM技术，相较于现有的DDR4内存，它在带宽、容量和能效方面都有明显优势。SK海力士的1bnm 32Gb DDR5内存颗粒预计将使得消费级和企业级内存模块的容量分别达到64GB和128GB。

总的来说，SK海力士作为内存领域的领军企业，不断推动内存技术的发展，通过采用更先进的FQB19N20LTM制程技术、优化内存架构和提高生产工艺水平，为市场提供更高性能、更大容量和更高效能的内存产品。随着HBM4E内存和1bnm DDR5内存颗粒的推出，SK海力士将进一步巩固其在内存市场的领导地位，满足未来高性能计算应用对内存的极致需求。