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意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管
意法半导体（STMicroelectronics）最近宣布推出了新系列的100V沟槽（Trench）肖特基整流二极管，这一系列产品旨在满足市场对高效能、低功耗和小尺寸电源解决方案的需求。这些二极管采用了先进的沟槽技术，以提高其性能，使之在多种电子应用中具有竞争力，从而推动了行业的发展。新系列100V沟槽肖特基整流二极管采用了先进的沟槽技术，这种技术可以减少二极管在导通时的正向压降，同时降低了反向恢复时间。这种性能的提高可以带来更高的系统...
日期：2024-4-7阅读：677 -
MDD肖特基二极管助力充电桩电源功率损耗低
MDD（Metal-Diode-Dielectric）肖特基二极管是一种常用于电源应用中的高性能二极管。在充电桩电源中使用MDD肖特基二极管可以有效降低功率损耗，提高整个DP83848IVVX系统的效率和稳定性。1. MDD肖特基二极管的特点：MDD肖特基二极管具有多种优良特性，适合用于提高充电桩电源的效率和降低功率损耗：- 低反向漏电流：MDD肖特基二极管的反向漏电流很小，有助于减少静态功耗并提高整个系统的效率。- 高开关速度：MDD...
日期：2024-3-14阅读：724 -
快恢复二极管和肖特基二极管可以互换吗？
快恢复二极管（Fast Recovery Diode）和肖特基二极管（Schottky Diode）是电子元件领域中两种常见的BTS3118N二极管，它们都具有快速导电的特性，但在结构、工作原理以及应用领域上有着明显的不同。理解这些差异有助于判断它们是否可以互换使用。快恢复二极管快恢复二极管是一种特殊设计的PN结二极管，它针对普通二极管恢复时间较长的问题进行了改进，使其可以在高频电路中使用，减少开关时产生的能量损失。快恢复二极管通常用于...
日期：2024-2-2阅读：712 -
三端肖特基二极管好坏判断
三端肖特基二极管，也叫做"多层结构双极耦合结双栅MOSFET"，是一种EP20K200EFC484-3半导体器件，可用于高频放大、开关、混频等电路中。在判断三端肖特基二极管好坏之前，我们首先需要了解三端肖特基二极管的结构和原理。然后，我们可以通过来判断其好坏。三端肖特基二极管的结构与普通肖特基二极管类似，但新增了一个控制栅极。它由一个N型半导体材料作为阳极，一个P型半导体材料作为阴极，并在两者之间嵌入一个金属或N型区...
日期：2024-1-17阅读：656 -
肖特基二极管4大特性，你都知道吗？
肖特基二极管（Schottky diode）是一种常见的二极管。它具有一些独特的特性，使其在许多电子应用中得到广泛应用。以下是肖特基二极管的四个重要特性：1、低电压降（Low Voltage Drop）：肖特基二极管具有较低的正向电压降（正向压降通常在0.2至0.4伏之间），相对于普通的l4960整流二极管（如硅二极管）而言，其正向电压降更低。这使得肖特基二极管更适合于需要较低电压降的应用，因为这有助于减少功耗和热量产生。2、快速开关速...
日期：2023-12-8阅读：731 -
普通硅二极管与肖特基二极管，究竟有何异同？
普通硅二极管和肖特基二极管是两种常见的MURS360T3G二极管类型，它们在结构、工作原理、特性和应用上存在一些区别。下面将详细介绍普通硅二极管和肖特基二极管的异同。1、结构差异：普通硅二极管是一种PN结二极管，由P型和N型硅材料组成。当P型区域与N型区域之间形成了一个结（PN结），它会产生一个电势差，称为内建电势。当外加正向电压施加在PN结上时，P型区域的正电荷会被施加的电场推向N型区域，形成一个电荷云。这使得电子从N型区域向P型区域...
日期：2023-12-7阅读：650 -
肖特基二极管和普通二极管区别是什么
肖特基二极管（Schottky diode）和普通二极管（ordinary diode）是两种常见的电子元件，它们之间有一些重要的区别。以下是肖特基二极管和普通二极管在结构、工作原理和应用方面的区别：1、结构：肖特基二极管：肖特基二极管S8050是由金属和半导体材料（通常是硅或砷化镓）组成的。金属与半导体之间形成一个肖特基势垒，这是由于金属的低功函数和半导体的能带结构之间的差异所致。普通二极管：普通二极管由两个半导体材料（通常是硅或锗）...
日期：2023-8-29阅读：198 -
碳化硅肖特基二极管的原理及应用
一、碳化硅肖特基二极管的原理碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应，即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒，使得半导体中的载流子向金属一侧偏移，形成整流效应。碳化硅肖特基二极管XC9572XL-10TQG100C的主要结构包括P型碳化硅（p-type SiC）和金属端子。P型碳化硅作为阳极，金属端子作为阴极，两者之间形成了一个肖特基势垒。当外加正向电压时，势垒被降低，电流得...
日期：2023-6-5阅读：560 -
快恢复二极管与肖特基二极管的区别
二极管是一种最简单的半导体器件，它由两个不同类型的半导体材料组成，即P型半导体和N型半导体。快恢复二极管和肖特基二极管都是二极管的一种，它们的区别主要在于其工作原理和应用领域。一、快恢复二极管快恢复二极管是一种具有快速恢复时间的ADM485ARZ二极管，其特点是具有快速的反向恢复时间和低反向恢复电流。快恢复二极管的结构与普通二极管相似，但其P型区和N型区之间插入了一层高掺杂的P+区或N+区，这种结构使得电荷载流子的扩散速度加快，因此具有...
日期：2023-5-29阅读：530 -
碳化硅肖特基二极管解析
碳化硅肖特基二极管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一种高性能半导体器件，具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点，广泛应用于电源、驱动、SN74CBTLV3257DBQR逆变器、电动汽车等领域。一、碳化硅肖特基二极管的基本原理碳化硅肖特基二极管采用碳化硅材料制成，其结构与普通PN结二极管相似，但没有PN结。它是由一个金属反型接触（Metal-Semiconductor）和一个P型碳化硅半导体组成的。当肖...
日期：2023-5-24阅读：437 -
肖特基二极管的四大特性
肖特基二极管是一种非常常见的半导体器件，它具有很多独特的特性。本文将会介绍肖特基二极管的四大特性：快速恢复、低反向漏电流、低正向压降和高频特性。一、快速恢复特性肖特基二极管LM358DT有一个非常重要的特性，就是快速恢复。这意味着当肖特基二极管从导通状态切换到截止状态时，其恢复时间非常短，可以达到纳秒级别。相比之下，普通的快恢复二极管通常需要几十纳秒的恢复时间。这是因为肖特基二极管的结构比快恢复二极管更简单。肖特基二极管的结构由一个P型...
日期：2023-4-18阅读：1145 -
压力传感器通常由应变引起的“肖特基势垒高度（SBH）调制”
随着物联网（IoT）和“工业4.0”压电材料的兴起，紧凑、节能的传感器引起了广泛的关注。压电电子已成为土木工程结构健康监测和人机交互界面的新技术前沿。压力传感器BDX53BFP通常由应变引起的“肖特基势垒高度（SBH）调制”或在诱导压电场重新分配电荷载流子“压门控制效果”控制。但是，虽然是基于SBH该设备得到了很好的探索，但基于压电门控制的设备仍然相对较少。这限制了压电门控制晶体管的制造。据麦姆斯咨询报道，最近NanoEnergy台湾国...
日期：2022-9-28阅读：967 -
恩智浦推出超高能效比低VF肖特基整流器
恩智浦半导体NXP SEMICONDUCTORS N.V.(NASDAQ：NXPI)近日推出采用1.0 x 0.6 x 0.37-mm超小扁平SMD塑料封装DFN1006D-2 (SOD882D)、能效比最高的肖特基整流器。这款20-V、0.5-A PMEG2005BELD肖特基势垒整流器是目前市场上尺寸最小的产品，在0.5-A正向电流下的最大正向电压为390 mV，可以显著提升电池寿命和性能。这款低VF肖特基整流器电气性能卓越，是智能...
日期：2013-2-28阅读：1427 -
ST新推高压肖特基整流二极管
近日消息，据外媒报道，意法半导体（STMICROELECTRONICS，简称ST）推出有助于提高电信基站和电焊机等设备的效能和稳健性的新款高压肖特基整流二极管。 新款200V功率肖特基整流二极管STPS60SM200C以额定直流输出30-50V的大电流AC/DC电源为目标应用，200V最大反向电压兼容目前最恶劣的工作（封装）环境，设计安全系数可承受过压，并拥有-40°C的最低工作温度，因此非常适合用于分布全球任何地区的电信基站。 作为...
日期：2012-12-28阅读：1295 -
瑞萨新推肖特基势垒二极管RJS6005TDPP
近日消息，据外媒报道，全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。 这款新型SiC肖特基势垒二极管适用于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统。该器件还采用了日立株式会社与瑞萨联合开发的技术，有助于实现低功耗。与瑞萨采用传统硅（Si）...
日期：2012-12-8阅读：894 -
科锐新推1700V Z-Rec肖特基二极管
日前消息，据外媒报道，碳化硅（SiC）功率器件的市场领先者科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下，该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。 科锐1700V Z-Rec肖特基二极管从根本上消除了硅PiN二极管替代品中存在的反向恢复损耗，能够使系统实现超高效率并且更小、更轻，同时提高了整体的可靠性。此次发布的全新封装产品采用1700V Z-Rec技术，进一步提升分立器件设计低功率...
日期：2012-12-7阅读：952 -
罗姆推出高温下超低IR肖特基势垒二极管
日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）近日面向车载、电源设备，开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管“RBxx8系列”。与传统的车载用整流二极管相比，可降低约40%的功耗，非常有助于电动车（EV）和混合动力车（HEV）等要求更低功耗的电路节能。 本产品已从1月份开始销售样品（样品价格50～200日元／个），从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。关于生产基地，前期工序在罗姆ROHM Wako Co., Ltd.（...
日期：2012-11-29阅读：904 -
罗姆推出高温环境可用的超低IR肖特基势垒二极管
日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）近日面向车载、电源设备，开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管“RBxx8系列”。与传统的车载用整流二极管相比，可降低约40%的功耗，非常有助于电动车（EV）和混合动力车（HEV）等要求更低功耗的电路节能。 本产品已从1月份开始销售样品（样品价格50～200日元／个），从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。关于生产基地，前期工序在罗姆ROHM Wako Co., Ltd.（日...
日期：2012-6-26阅读：150 -
罗姆开发出实现业界最小的低VF SiC肖特基势垒二极管
日本知名半导体制造商罗姆株式会社（总部位于日本京都）面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路，开发出实现业界最小※正向电压（VF＝1.35V）的第二代SiC（SILICON Carbide：碳化硅）肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM”(600V/10A)。 与传统产品相比，正向电压降低了10％，非常有助于各种设备实现更低功耗。生产基地在ROHMApollo Co., Ltd.（日本福冈县），从6月份开始出售...
日期：2012-6-8阅读：1094 -
NXP为行动设备推出专用低VF肖特基整流器
恩智浦半导体(NXPSemiconductors)近日推出采用1.0x0.6x0.37-mm超小扁平SMD塑胶封装DFN1006D-2(SOD882D)的肖特基整流器PMEG2005BELD，这款20V、0.5A的元件0.5A正向电流下的最大正向电压为390mV，可显著提升电池寿命和性能。此款低VF肖特基整流器具备卓越的电气性能，相当适合智慧手机、平板电脑等需要在有限的PCB板空间下降低整体功耗的电池驱动型PBM99005/61行动设备...
日期：2012-4-23阅读：1132