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      IMW65R039M1H

      CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMW65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术,并经过优化,在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低损耗,并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,以提供经济高效的性能。
      半导体
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      GRM216R11A224KC01#

      民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
      医疗医疗器械
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      GRM188C81E105MAAD#

      民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
      医疗医疗器械
      0 MURATA

      GCQ1555C1H240GB01#

      汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
      医疗医疗器械
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