45奈米制程第三势力窜起

全球晶圆代工厂90、65奈米制程竞赛方兴未艾，45奈米制程战鼓却已提前敲响，被视为是“第三势力”的新加坡特许（Chartered）、IBM、三星电子（Samsung Electronics）及英飞凌（Infineon），30日共同宣布全球第一款45奈米晶片问世，预计2007年底前完成验证，相较于台积电（2330）、联电（2303）均计划于2007年下半投入45奈米制程，特许等厂脚步丝毫不落后，对台厂威胁将与日俱增。

半导体业者表示，特许等4家厂商共同宣布45奈米晶片及设计工具组问世，预料将对台积电、联电45奈米制程技术造成不小压力，尽管台积电45奈米制程已可做到零缺陷密度，计划于2007年下半量产；联电同样已于12A厂建置完成45奈米生产工具，预计2007年下半推出低耗电45奈米晶片，2008年上半推出45奈米标准制程，然特许、三星等业者在新一代制程急起直追，恐将冲击台厂。

半导体业者指出，目前各家晶圆代工厂都将2007年下半视为45奈米制程竞赛重要起跑点，谁都不想输、也输不得。值得注意的是，这次4家业者联合发表45奈米制程，其中，三星近期在晶圆代工市场便表现相当积极，甚至不惜大砍90奈米制程报价，以争取客户青睐，如今包括特许、三星等均透过联合技术平台，在先进制程技术已丝毫不逊于台积电、联电，预料未来竞争将愈趋激烈。

事实上，特许挟其技术平台伙伴IBM、三星及英飞凌奥援，近年来快速累积技术实力，制程推出时程从原本在90奈米制程明显落后，到65奈米制程已渐追平晶圆双雄，甚至在特殊制程领域，更是少数拥有绝缘层上覆矽（Silicon-on-Insulator；SOI）技术的厂商，凭藉技术领先更使得特许在2006年上半超越中芯，稳坐全球第三大晶圆代工厂，如今又抢先推出45奈米晶片，进展速度之快震惊业界。

特许表示，除发表最新45奈米晶片，同时发表4家公司所共同开发的早期设计（early design）工具组，这套以低耗电（low-power）制程技术为基础的设计工具组，将有助于客户快速转换制程至45奈米，且已精选部份客户率先采用，预计将用于生产行动晶片，并于2007 年底验证完成。

英飞凌则指出，该款晶片已在IBM美国纽约州East Fishkill的12寸晶圆厂生产，并通过英飞凌所提供标准元件库（standard cell library）和I/O元件，以及该联盟所开发嵌入式记忆体验证，预计2007年底将在其余3家的12寸晶圆厂安装并完成验证。