IR推出100V集成MOSFET解决方案

为PoE应用节省80%的占位空间 国际整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足以太网供电（Power-over-Ethernet，简称PoE）应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准，例如以太网交换器、路由器和集线器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4个独立SOT-223封装的MOSFET。其减少的占位面积相当于节省了80%的空间，或相当于典型48端口电路板中3平方英寸的占板面积。 IR中国及香港销售总监严国富指出：“PoE卡的每个端口都需要有各自的MOSFET，IRF4000正好可以满足这种需要。与使用单独MOSFET的解决方案相比，它能大幅度减少零件数目，同时简化制造工艺，可在48端口系统中节省36个插入元件。” IEEE802.3af提出了在网络系统中由电源设备通过局域网向用电装置供电的标准。IR的这款新型MOSFET的工作类似一个热交换场效应管，在受控环境下，可将电力由电源设备输送到用电装置。由于它必须在线性区域工作，工作环境也非常严峻，因此必须设置一个高度稳定的安全工作区域（SOA）。 IRF4000采用低跨导硅技术，封装热阻约1°C/W，在线性区域工作时可高效地散发热量。该器件经过全面的电学和热特性优化，以适应最苛刻的IEEE802.3af工作条件，与独立的SOT-223MOSFET相比，该器件安全工作区域增加56%，有效改善了系统的可靠性和耐热性。 IRF4000除了适用于48端口系统，还适用于96端口产品或更小型的12端口PoE插头模组。在各种情况下，每个IRF4000器件都可以取代4个端口。新器件已经通过MSL三级认证。 IRF4000除了符合IEEE802.3af规范，还能够满足即将问世的针对高功率负载的PoEPlus构架的要求。