飞思卡尔推全球首款50V LDMOS功率晶体管

飞思卡尔半导体近日揭开了全球首款适用于L波段雷达应用的50VLDMOSrf-ic/" title="50VLDMOSRF">50VLDMOSRF功率晶体管产品的神秘面纱。这一产品线非常适合于各种高功率RF应用，包括空中交通管理和长射程气象雷达。

RF产品线包括MRF6V14300H.html" target="_blank" title="MRF6V14300H">MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。当频率在1200－1400MHz之间时，MRF6V14300H.html" target="_blank" title="MRF6V14300H">MRF6V14300H生成330W的RF脉冲输出功率；与竞争性双极场效晶体管（FET）器件相比，它重新设立了该功率和频率级的新的效率、增益和热阻标准。

先进的RF功率晶体管产品线（同时也是飞思卡尔50VRF功率LDMOS电子系统和雷达系列的首条产品线）为那些希望在L波段频率设计RF脉冲功率产品的客户提供了竞争优势，如标准电源、冷却成本低和托盘设计的高可靠性等。计划在今年下半年推出的飞思卡尔新版本雷达和航空电子，有望展示出良好的增益、效率和热阻性能，能够全面超过目前市场其它同类产品。

飞思卡尔MRF6V14300H.html" target="_blank" title="MRF6V14300H">MRF6V14300H器件封装在符合RoHS标准的气腔陶瓷封装内，热阻不到0.12oC/WθJC，能够有效管理散热，减少散热器规模。出色的热性能为冷却器提供结温。MRF6V10010N是过模塑料封装，也具有出色的热性能。当与其他产品结合使用时，就能实现冷却成本低和托盘设计的高可靠性优势。

MRF6V14300H.html" target="_blank" title="MRF6V14300H">MRF6V14300H的关键RF性能数字有：1200－1400MHz的频率范围，330W的最高输出功率（在1400MHz，脉冲宽度为300μsec，12％的占空比）、17dB增益、60％的漏极效率。特别值得一提的是，60％的漏极效率比竞争产品至少高出10个百分点。MRF6V10010N提供8W的最高输出功率（1400MHz、300μs、12％的占空比）、22dB增益和60％的漏极效率。

与飞思卡尔50VLDMOS系列的其它器件一样，这些先进器件融入了静电放电（ESD）保护功能，有助于减少它们对装配站点上的静电事件的敏感性。这种ESD保护支持-6V到+10V的大范围栅极电压，当器件运行在更高效率级（如C级）时，这一设计的优势就非常明显。

RF器件基于飞思卡尔第6代超高压（VHV6）50VLDMOS技术。首先被飞思卡尔实现商用的50VVHV6LDMOS平台显示出行业领先的增益和效率。加之器件封装和热管理领域内的创新，VHV6技术通过每晶体管额定功率的提高，进一步减少了器件计数和系统成本。

MRF6V10010N产品现已推出样品，并已投入批量生产。MRF6V14300H.html" target="_blank" title="MRF6V14300H">MRF6V14300H正在打样，并有望在2008年第三季度全面投入生产。MRF6V14300H.html" target="_blank" title="MRF6V14300H">MRF6V14300H的宽带参考文本也已上市。两款器件的大信号型号预计2008年年底推出。