三星已开始量产30nm制程2Gb密度 DDR3内存芯片

2010年上半年，三星公司（SAMSung）曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3内存芯片的开发工作，最近他们则宣布这款芯片产品已经进入批量生产阶段。这款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V电压条件下工作在1866MHz数据传输率下，加压到1.5V之后数据传输率则可提升至2133MHz，适用于服务器，上网本，台式机，笔记本，移动设备的各种应用。

三星表示目前他们正在开发4Gb密度的30nm制程DDR3内存芯片产品，预计这款产品今年才会投入使用。