英飞凌研发车载功率半导体的H-PSOF封装

德国英飞凌（INFINEON）宣布，成功研发用于车载功率半导体的小型新封装。外观符合JEDEC的“H-PSOF（带散热片的小外形扁平引脚塑料封装）”标准。

据英飞凌介绍，采用此次开发的H-PSOF封装，可以制出现有封装很难实现的、具备200A以上电流容量及1mΩ以下导通电阻的功率MOSFET。采用该封装的元件瞄准的是混合动力车的电池管理、电动助力转向系统（EPS）及主动电机等高电流容量用途。

除了可提高电流容量以外，新封装还能实现元件的小型化。比如，与车载功率半导体经常使用的“D2PAK封装（TO-263）”相比，H-PSOF封装的占用面积约小20％，高度约低50％。而且，H-PSOF封装还具有组装及制造方面的优点。据英飞凌介绍，这种封装不仅可焊性好，而且可以使用自动光学检测设备（AOI）管理焊接后的端子。

采用新封装的第一款产品是耐压40V的OptiMOS T2功率MOS FET“IPLU300N04S4-R7”。该产品为沟道型n通道功率MOS FET，最大漏电流高达300A，导通电阻仅为0.76mΩ。符合AEC-Q101标准。今后，英飞凌还将发布采用H-PSOF封装的40V及30V车用MOSFET。