2012年功率半导体规模将达200亿美元

市调机构 Yole Developpement 指出，包括分立式半导体、模块和IC在内的功率组件市场规模预估2012年将达到200亿美元。这些产品可满足新兴的混合动力车应用，以及从太阳能逆变器到照明、加热器等多种应用，产品范围从几伏特到数千伏特都包含在内。

Yole 的分析师认为，中高压市场中的 IGBT 产值约为16亿美元。超接面(Superjunction) MOSFET 正在朝更高度开关频率的方向发展，预估2012年市场规模为5.67亿美元。

而性能可超越传统硅组件的新型氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术，则由于过于昂贵，因此仍处在早期部署阶段。

不过，Yole表示，这些材料将会对LED照明应用领域带来影响，而且目前也已经有一些制造商表示考虑选用这些材料了。

“GaN和SiC还未成熟到足以应用在功率ic37中：首先，这类产品要求改善制造技术，特别是在磊晶厚度方面；其次是材料仍然相当昂贵，因此很难走进一般消费应用领域，Yole表示。

据IMS Research表示，2012年功率半导体市场预估将达320亿美元，比2011年成长5%。