存储器喊涨效应 存储器景气是否提早翻多 还待观察

导读：日本对南韩实施限制三项电子关键材料出口，引起后续材料恐短缺疑虑，激励DRAM与NAND Flash现货价应声上涨，带动南亚科、旺宏、华邦电等存储器族群昨股价带量上涨，这是存储器史上第一次因贸易战引发价格看涨，但存储器景气是否提早翻多还有待观察。

原本与DRAM“携手”跌价的NAND Flash已经迎来了一波涨价潮，像威刚这样的模组厂都已经开始限量供应，其认为NAND Flash 跌势已接近尾声，初步估计NAND Flash价格调涨约为10%至15%。

然而，日韩贸易战和旺季带来的涨价效应却没有发生在DRAM产业上。南亚科 (2408)总经理李琣瑛表示，第三季度虽然销售量以及需求有较第二季再回升，但目前相当关键的是原厂供应商的库存仍高，第三季度DRAM价格跌势难止，ASP仍会比第二季度更低，但跌幅可能比第二季度的15%要小。

李培瑛进一步指出，以整体市况来看，总体经济仍有不确定性，包括中美贸易战以及日韩纷争，目前客户端库存已降低，虽然供给端厂商仍在缩减资本支出以及调节库存，但目前库存水位仍高，第三季度在各市场旺季来临下，DRAM 供需逐步平稳，价格跌幅缩小。

存储器模组大厂威刚董事长陈立白表示，日韩贸易战牵动存储器价格上涨，这种情况为史上第一次。1993年间，日本住友化学曾爆发环氧树脂厂爆炸、造成封装材料短缺，意外事件牵动南韩、日本、美国与台湾大厂DRAM价格大涨。

至于此次日本对南韩实施限制三项电子关键材料出口，业界传出，龙头大厂三星评估对上游材料料源还无法明确掌握，已对现货市场停止出货;美光近两天也已停止报价。陈立白原预估今年第三季DRAM可望因旺季出现现货价小涨，明年才可能大涨，但受到日韩贸易战冲击，他昨改口说，「7月提早起涨，8、9月也都看涨」。

业界看法分歧

但业界有的持保守看法。因存储器市况供过于求，加上三星电子副会长李在镕亲自赴日协商材料供货也传出有解，影响DRAM现货价昨仅出现小涨，存储器后续涨价效应还有待观察。

南亚科总经理李培瑛日前也指出，DRAM三大供应商库存仍偏高，预估第三季逢旺季到来，整体需求会增加，但因消化库存，合约价格将续跌，不过跌势会缩小。对于日韩贸易战，李培瑛说，到底会是短期或可能长期纷争还需观察，未来几周是关键。一位供应链业者表示，上半年因美中贸易大战，存储器价格大跌，最近只能说止跌，回升还要看后续发展而定。

旺宏预计7月25日举行法说会，公布第二季财报与第三季展望。