DRV8350F是最大 102V 3 相功能安全质量管理智能栅极驱动器
日期:2021-9-10产品详情
描述:
DRV835xF 系列器件是高度集成的AD5162BRMZ50栅极驱动器,适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机应用。器件变体提供可选的集成分流放大器以支持不同的电机控制方案。
DRV835xF 使用智能栅极驱动 (SGD) 架构来减少 MOSFET 压摆率控制和保护电路通常所需的外部组件数量。 SGD 架构还优化了死区时间以防止直通条件,通过 MOSFET 转换速率控制提供降低电磁干扰 (EMI) 的灵活性,并通过 VGS 监视器防止栅极短路条件。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生栅极开启事件 支持各种 PWM 控制模式(6x、3x、1x 和独立),以实现与外部控制器的简单接口。这些模式可以减少控制器对电机驱动器 PWM 控制信号所需的输出数量。该系列器件还包括 1x PWM 模式,可通过使用内部模块换向表对 BLDC 电机进行简单的传感梯形控制。
特性:
●9 至 100V、三重半桥栅极驱动器
—可选的三重低侧分流放大器
●功能安全质量管理
—可用于帮助 IEC 61800-5-2 功能安全系统设计的文档
●智能栅极驱动架构
—用于 EMI 性能的可调压摆率控制
—V GS握手和最小死区时间插入以防止直通
—50mA 至 1A 峰值源电流
—100mA 至 2A 峰值灌电流
—通过强下拉来缓解 dV/dt
●集成栅极驱动器电源
—高边倍增电荷泵 用于 100% PWM 占空比控制
—低边线性稳压器
●集成三重分流放大器
—可调增益(5、10、20、40 V/V)
—双向或单向支持
●6x、3x、1x 和独立 PWM 模式
—支持 120° 有感操作
●SPI或硬件接口可用
●低功耗睡眠模式(V VM = 48V 时为20 μA )
●集成保护功能
—VM 欠压锁定 (UVLO)
—栅极驱动电源欠压 (GDUV)
—MOSFET V DS过流保护 (OCP)
—MOSFET 直通预防
—栅极驱动器故障 (GDF)
—热警告和关机 (OTW/OTSD)
—故障状态指示器 (nFAULT)
参数:
控制方式:外部控制,梯形控制
建筑学:栅极驱动器
控制界面:6xPWM、3xPWM、1xPWM
栅极驱动 (A):1
Vs (最小值) (V):9
与 ABS(最大)(V):102
特征:硬件管理 I/F、SPI/I2C、智能门驱动
工作温度范围 (C):-40 到 125
TI 功能安全类别:功能安全质量管理