IR推出全新HEXFET功率MOSFET

国际整流器公司 (IR) 近期推出全新HEXFET功率MOSFET系列。新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(ON)显着改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。

该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“这个全新的SOT-23 MOSFET系列支持从 -30V至100V的宽电压范围，并提供不同水平的 RDS(on) 和栅极电荷 (Qg) ，从而为追求紧凑、高效率及低成本解决方案的客户带来更佳、更广泛的设计选择。”

新器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准，所采用的材料不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。