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JANTXV2N6756产品参数
型号:JANTXV2N6756
生命周期:Active
IHS 制造商:DEFENSE LOGISTICS AGENCY
零件包装代码:TO-3
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.09
Is Samacsys:N
其他特性:RADIATION HARDENED
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.18 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A
认证状态:Qualified
参考标准:MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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