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深圳市芯福林电子有限公司
ZTX788BSTOA
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深圳市中利达电子科技有限公司
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首天国际（深圳）科技有限公司
ZTX788BSTOA
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北京元坤伟业科技有限公司
ZTX788BSTOA
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
ZTX788BSTOA
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深圳市婷轩实业有限公司
ZTX788BSTOA

数量5000
厂家Diodes Incorporated
封装E-Line（TO-92 兼容）
批号23+
进口原装现货热卖
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0755-89608519

深圳市华美锐科技有限公司
ZTX788BSTOA

数量19775
厂家ZETEX
封装原装正品热卖
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深圳市华美锐科技有限公司
ZTX788BSTOA

数量9821
厂家ZETEX
封装
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原装正品热卖
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深圳市一线半导体有限公司
ZTX788BSTOA

数量15000
厂家原厂品牌
封装原厂外观
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

PROVISIONAL DATASHEET ISSUE 2 SEPTEMBER 94

ZTX788A

FEATURES

15 Volt V_CEO

Gain of 200 at I_C=2 Amps

Very low saturation voltage

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-20

-15

-5

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-10

-3

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

I_C

P_totp

P_tot

1.5

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-20

-15

-5

-30

-20

-8.5

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

-0.1

-10

V_CB=-10V

µA

V_CB=-10V, T_amb=100°C

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

-0.1

V_EB=-4V

µA

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-0.025 -0.035

-0.25 -0.32

-0.28 -0.33

I_C=-0.1A, I_B=-2mA*

I_C=-2A, I_B=-20mA*

I_C=-3A, I_B=-200mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

-0.85 -1.0

I_C=-2A, I_B=-20mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

-0.8

IC=-2A, V_CE=-3V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

300

250

200

800

I_C=-10mA, V_CE=-1V*

I_C=-1A, V_CE=-1V*

I_C=-2A, V_CE=-1V*

I_C=-10A, V_CE=-2V*

3-271

ZTX788A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C)

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Transition Frequency

f_T

100

150

MHz

I_C=-50mA, V_CE=-5V

f=50MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

V_CB=-10V, f=1MHz

t_on

t_off

500

I_C=-500mA, I_B1=-50mA

I_B2=-50mA, V_CC=-10V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

MAX.

UNIT

Thermal Resistance:Junction to Ambient₁

Junction to Ambient₂

Junction to Case

R_th(j-amb)1

R_th(j-amb)2

R_th(j-case)

175

116

°C/W

Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.

2.5

2.0

200

D=1 (D.C.)

D=t₁/t_P

Case temperature

1.5

100

D=0.5

1.0

0.5

D=0.2

D=0.1

Single Pulse

0.0001 0.001

-40 -20

0.01

0.1

100

40 60 80 100 120 140 160 180 200

T -Temperature (°C)

Pulse Width (seconds)

Derating curve

Maximum transient thermal impedance

3-272

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